美光透露即便扩大产能也只能满足主要客户需求的50%~60% 内存供应短缺至少到2026年后

闪存芯片制造商美光此前宣布旗下消费级产品品牌英睿达退出市场，即从 2026 年 2 月开始英睿达固态硬盘和内存等产品完全停售，对美光而言将更多产能转到利润更高的企业级内存和 HBM 系列高带宽内存才是重点。

美光的这种做法势必给消费级市场带来不利影响，在内存条和固态硬盘价格都在上涨的情况下，美光英睿达退出市场意味着会加剧供应短缺，因此消费者可能要面临更高的零售产品价格。

本周美光公布 2026 财年 Q1 财报，财报数据显示美光创纪录的获得 136.4 亿美元营收，同比增长高达 57%，利润率也同样显著增长 (但美光没有在财报电话会议中透露具体数据)。

美光将增长归因于更高的产品价格和人工智能数据中心需求的飙升，对美光而言现在产品完全不愁卖并且甚至可以自己定价，当然其他闪存芯片制造商也同样如此。

该公司首席执行官梅赫罗特拉也重申内存行业其他公司的观点：内存短缺问题至少持续到 2026 年后，当然具体是 2027 年还是 2028 年那不好说，之前 SK 海力士的内部分析报告称要持续到 2028 年。

HBM 系列高带宽内存是美光等闪存芯片制造商的利润支柱，该系列内存所需的晶圆面积是常规 DDR5 内存的 3 倍，同时 HBM 系列内存售价要远高于常规内存，美光预计该公司的 HBM 内存营收将实现强劲增长，预计到 2028 年全行业 HBM 总潜在市场规模将达到 1000 亿美元。

尽管关闭直接面向消费者的英睿达品牌，不过美光仍然向 OEM 提供适用于个人电脑和智能手机的 DRAM 芯片，当然供应也同样面临受限的问题，美光称尽管预计未来几年其营收和产能将有所扩张，但仍然无法满足所有细分市场的需求。

具体来说美光目前正在美国爱达荷州建设两座新晶圆厂，第一座晶圆厂预计在 2027 年中期投产。美光还计划在纽约建设晶圆厂，这座晶圆厂预计 2026 年年初开始动土，最终投产时间要到 2030 年。

即便产能扩大美光也只能满足其主要客户需求的 50%~60%，梅赫罗特拉称由于美光的客户担心长期内存供应短缺问题，目前这些客户纷纷寻求签订多年合同以确保自己能拿到足够的供应。

当然行业对这轮内存涨价的看法也是有区别的，不少内存供应商认为这种短缺会持续到明年甚至更久，GPU 厂商蓝宝石认为价格将在未来 6~8 个月趋于稳定，金士顿则认为价格还会持续上涨。

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